锑化铟(InSb)作为一种III-V族半导体晶体材料,有极窄的禁带宽度、极小的电子有效质量和极高的电子迁移率,在磁阻元件和霍尔器件等工业技术领域获得了重要应用。基于InSb的红外探测器在3~5μm波段拥有极高的量子效率和响应率,是中波红外探测器的优选材料。