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砷化镓GaAs

使用VGF生长方法生产的的高纯度GaAs单晶,经过切磨抛后,红外2~12μm波段的透过率可以达到≥55%的水平。产品厚度较厚时(≥3mm),透过率会随着厚度的增加逐渐降低,一般会在51%~55%左右。在实际运用中当红外材料的强度和硬度是产品的关键因素时,GaAs也可用于CO2激光应用,作为ZnSe光学透镜或镜面的替代品。

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