以InAs单晶为衬底可生长InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等异质结材料和InAs/GaSb超晶格结构材料，可制作波长2～14μm的红外发光器件和中红外量子级联激光器，这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
400-623-5308（9:00-12:00；13:00-17:30）
